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元件参数资料
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参数目录37029
> BC639G TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92
型号:
BC639G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
BC639G PDF
标准包装
5,000
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
80V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
40 @ 150mA,2V
功率 - 最大
625mW
频率 - 转换
200MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装
TO-92-3
包装
散装
其它名称
BC639G-ND
BC639GOS
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